Le géant sud-coréen des semi-conducteurs Samsung vient d'annoncer officiellement avoir développé avec succès la première DRAM GDDR7 commerciale de 24 gigabits (Go) du secteur, principalement pour répondre aux besoins de croissance importants du domaine de l'informatique IA de nouvelle génération. Non seulement Samsung annonce avec confiance qu'il s'agit de la DRAM GDDR7 de la plus grande capacité jamais créée, mais elle prend également en charge des vitesses sans précédent de plus de 40 Gbit/s. La société sud-coréenne affirme que la mémoire « relèvera considérablement la barre » pour la DRAM graphique « alimentant les applications futures ».
La validation du matériel avec les partenaires de fabrication de GPU débutera cette année. Et puis, si tout se passe bien, la production de masse commencera au début de l’année prochaine. Commentant cette évolution, YongCheol Bae, vice-président exécutif de la planification des produits de mémoire chez Samsung Electronics, a déclaré :
Après le développement réussi du premier modèle GDDR7 16 Go du secteur l'année dernière, Samsung a encore renforcé son leadership technologique sur le marché de la DRAM graphique avec cette dernière réalisation. Nous continuerons à dominer le marché de la DRAM graphique en lançant des produits de nouvelle génération qui répondent aux besoins croissants du marché de l'IA.
Samsung s'attend à ce que la nouvelle solution DRAM soit appliquée dans divers domaines nécessitant des solutions de mémoire hautes performances tels que les centres de données et les stations de travail IA, tout en élargissant les applications traditionnelles de la DRAM graphique dans les cartes graphiques, les consoles de jeux et les véhicules autonomes.

L’un des principaux avantages des nouvelles puces de mémoire GDDR7 par rapport aux générations précédentes est l’efficacité énergétique supplémentaire qui a été améliorée en utilisant pour la première fois la technologie des produits mobiles dans la DRAM graphique. Ces méthodes incluent la gestion du contrôle d’horloge et la conception VDD double. En réduisant la consommation d'énergie inutile, l'efficacité énergétique a été améliorée de 30 %, affirme Samsung.
De plus, Samsung affirme avoir utilisé des techniques de conception de grille d'alimentation pour minimiser les fuites de courant. Cela améliore la stabilité de fonctionnement lors des opérations à grande vitesse.
Samsung n'a fourni aucune information sur les prix de cette solution de mémoire ni donné de date de sortie prévue, mais il est probable qu'elle soit disponible au cours du second semestre 2025.